磁控濺射是一種涉及氣態(tài)等離子體的沉積技術(shù),該等離子氣體被生成并限制在一個(gè)包含要沉積的材料的空間內(nèi),濺射靶材的表面被等離子體中的高能離子侵蝕,釋放出的原子穿過真空環(huán)境并沉積在基板上以形成薄膜.

2、氣壓的影響,磁控濺射是在低氣壓下進(jìn)行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率,使氣體形成等離子體.在保證濺射功率固定的情況下,分析氣壓對(duì)于磁控濺射的影響.

1、幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積,而不論其熔化溫度如何;

2、可以根據(jù)基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置;

3、可以沉積合金和化合物的薄膜,同時(shí)保持與原始材料相似的組成.

1、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場(chǎng)迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場(chǎng)轉(zhuǎn)圈.相應(yīng)地,環(huán)狀磁場(chǎng)控制的區(qū)域是等離子體密度最高的部位.在磁控濺射時(shí),可以看見濺射氣體——?dú)鍤庠谶@部位發(fā)出強(qiáng)烈的淡藍(lán)色輝光,形成一個(gè)光環(huán).處于光環(huán)下的靶材是被離子轟擊最嚴(yán)重的部位,會(huì)濺射出一條環(huán)狀的溝槽.環(huán)狀磁場(chǎng)是電子運(yùn)動(dòng)的軌道,環(huán)狀的輝光和溝槽將其形象地表現(xiàn)了出來.磁控濺射靶的濺射溝槽一旦穿透靶材,就會(huì)導(dǎo)致整塊靶材報(bào)廢,所以靶材的利用率不高,一般低于40%;

2、等離子體不穩(wěn)定;

3、不能實(shí)現(xiàn)強(qiáng)磁性材料的低溫高速濺射,因?yàn)閹缀跛械拇磐ǘ纪ú贿^磁性靶子,所以在靶面附近不能加外加強(qiáng)磁場(chǎng).

5、在玻璃深加工產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用

1、輻射:有些鍍膜要用到射頻電源,如功率大,需做好屏蔽處理.另外,歐洲標(biāo)準(zhǔn)在單室鍍膜機(jī)門框四周嵌裝金屬線屏蔽輻射;

2、金屬污染:鍍膜材料有些(如鉻、銦、鋁)是對(duì)人體有害的,特別要注意真空室清理過程中出現(xiàn)的粉塵污染;

3、噪音污染:如特別是一些大的鍍膜設(shè)備,機(jī)械真空泵噪音很大,可以把泵隔離在墻外;

4、光污染:離子鍍膜過程中,氣體電離發(fā)出強(qiáng)光,不宜透過觀察窗久看.